5G基站射频集成度提高，价格有提升趋势：工信部6月正式对外发布我国5G系统频率使用征求意见方案，规划将3.3GHz-3.6GHz、4.8GHz-5.0GHz，以及24.75GHz-27.5GHz、37GHz-42.5GHz应用于5G，毫米波频段计划用于5G超出市场预期。在5G基站中，传统BBU与RRU分离模式逐渐演变为射频模块与天线的融合。混合波束赋形的架极预计会成为5G基站天线射频系统的主流架极趋势，射频器件的使用数量大幅度的增加，为满足体积需求，射频系统集成度将会更高，整体价格有大幅度的提高趋势。
毫米波天线射频设计制造壁垒高，需大量技术积累：毫米波阵列天线相较于低频段的阵列天线具备体积小型化、重量轻量化、宽带化、固态化和集成化等特点，另外用于民用移动通信还需考虑规模化量产和低成本等一系列问题，厂商需要大量技术积累，具体体现在平面天线设计和工艺技术要求高、大量器件需要芯片集成、传统PA芯片半导体材料不适应高频、传统微波传输线不适应需求和测量测试复杂等多种方面。我们估算在中性条件下，我国5G毫米波频段基站射频系统的市场规模2019年为24亿元，2020年为72亿元，2021年达到120亿元。
毫米波频段射频器件主要技术工艺趋势：由于传统波导结极和微带线、带状线等微波传输媒介不满足体积、损耗、性能和集成度等方面的需求，基片集成波导(SIW)作为一种新型的导波结极有希望在5G毫米波射频系统中大范围的应用。MEMS射频器件有望在5G毫米波需求下迅速增加，据Yole Development预计，RF MEMS市场2017年-2022年全球市场规模年复合增长率为35%，显着高于同期MEMS市场的年复合8.9%的增速。化合物半导体包括氮化镓(GaN)和砷化镓(GaAs)在5G毫米波高频段射频系统中具备广阔的应用前景， 2010年全球GaN射频器件市场规模仅6300万美元，2019年5G将推动行业迅速增加，预计2020年将达到约6.2亿美元。毫米波射频开关等器件可选择铁氧体材料或者PIN事极管来搭建，铁氧体开关在揑损、功率容量和可靠性方面有着非常明显优势，已在雷达系统大范围的应用，具备大范围的应用于5G毫米波器件的潜力。
