磷化铌薄膜在超薄线路制作中展示潜力

  据宣布在《科学》杂志上的一项最新研讨，美国斯坦福大学研讨人员初次发现一种非晶体资料磷化铌，在制作芯片上的超薄线路时，只要几个原子厚的磷化铌薄膜导电才干比铜更好。此外，这种薄膜可在较低温度下堆积出产，与现代核算机芯片相兼容。这种新资料在未来的纳米电子学范畴极具潜力，有望带来功用更强、更节能的电子科技类产品，协助处理当时电子科技类产品中的电力和能耗问题。

  跟着核算机芯片越来越小、越来越杂乱，在芯片中传输电信号的超薄金属线已成为一个薄弱环节。跟着线路更细更薄，规范金属线的导电才干会变差，终究约束纳米级电子科技类产品的尺度、功率和功能。

  而新式导体磷化铌是拓扑半金属，其整个资料都可导电，但外外表比中心导电性更好。跟着磷化铌薄膜变薄，中心部分缩短，但其外表积不变乃至更大，更好的外表导电才干使整个资料成为更好的导体。另一方面，铜等传统金属一旦薄于50纳米，导电才干会变得更差。

  研讨人员发现，即便在室温下作业，磷化铌在薄膜厚度低于5纳米时，导电性也比铜更好。在这种尺度下，铜线难以跟上快速发射的电信号，并耗散更多的热能。

  此前，研讨人员一直在寻觅可用于纳米电子范畴的导电资料，但到目前为止，最好的候选资料都有极端准确的晶体结构，要在十分高温度下才干构成。此次研讨制作的磷化铌薄膜，有望成为更抱负的导体，也为探究使用其他拓扑半金属制作超薄电路铺平了路途。

  研讨显现，磷化铌薄膜可在比较来说较低温度下构成。在400℃下，研讨人员可将磷化铌堆积为薄膜，这一温度可防止损坏或损坏现有的硅核算机芯片。

  研讨人员指出，磷化铌薄膜并不会快速替代一切核算机芯片中的铜，在制作较厚线路和电线时，铜仍然是更好的挑选，而磷化铌更适用于最薄处的衔接。( 记者张梦然)

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